英特尔近日宣布与日本软银旗下SAIMEMORY达成合作，共同开发名为ZAM（Z-Angle Memory）的新型存储器技术。这项聚焦下一代存储器的创新方案，旨在满足人工智能和高性能计算领域对更高性能、更低功耗的迫切需求。 SAIMEMORY研发的堆叠式DRAM架构突破现有高带宽内存标准，通过提升存储容量、降低功耗及改进封装技术，有效缓解AI系统扩展瓶颈。双方合作将由英特尔提供技术标准支持，SAIMEMORY主导商业化进程，计划2026年启动运营，2027年推出原型产品，2030年实现全面商业化。 该技术基于软银集团的先进存储器技术（AMT）研发计划，英特尔早期参与验证了堆叠式DRAM概念。同时推动的下一代DRAM键合（NGDB）计划，通过创新封装方式在降低延迟和能耗的同时，实现更高密度与带宽。 英特尔院士Joshua Fryman指出，NGDB定义的新型内存架构将显著提升DRAM性能，优化内存成本，为AI应用提供更高效解决方案。软银表示，ZAM技术将助力数据中心等场景实现高带宽数据处理与低功耗运算。