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长江存储三期项目2026年投产!DRAM产能占比达50%

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长江存储三期项目2026年投产!DRAM产能占比达50%

长江存储三期项目计划2026年建成投产,目前正安装巨型洁净厂房设备。该项目注册资本207.2亿元,将带动上下游200家企业集聚。据悉,该厂将生产NAND闪存并配套50%DRAM制造产能,同时与本土企业合作研发HBM高带宽内存。预计2026年全球市场份额将突破10%,成为存储产业重要力量。

长江存储三期项目2026年投产!DRAM产能占比达50%

快科技2月4日消息,据报道,武汉集成电路产业第三个千亿级项目——长江存储三期项目计划2026年建成投产。

目前项目正安装巨型洁净厂房设备,据负责人透露,该厂将带动上下游200家企业集聚。据悉,长江存储于2025年9月正式启动三期布局,并注册成立长存三期(武汉)集成电路有限责任公司。

该公司注册资本高达207.2亿元,是继2021年长存二期公司成立后的重要进展。据悉,新厂产能规划显示,除生产NAND闪存外,50%产能将用于DRAM制造。

同时,长江存储将与本土存储封装企业合作,为人工智能计算场景研发生产HBM高带宽内存。2025年其全球产能份额约7%-8%,若三期扩产按计划完成,2026年有望突破10%。

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